Skip navigation
Home
Browse
Communities
& Collections
Browse Items by:
Issue Date
Author
Title
Subject
Help
Language
русский
English
Sign on to:
My Repository
Receive email
updates
Edit Profile
Samara University
Repository
Welcome!
Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
Browsing by Author Чепурнов В. И.
Jump to:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
Й
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ъ
Ы
Ь
Э
Ю
Я
or enter first few letters:
Sort by:
title
issue date
submit date
In order:
Ascending
Descending
Results/Page
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
Authors/Record:
All
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Showing results 1 to 17 of 17
Issue Date
Title
Author(s)
2017
Датчик деформации на основе гетероструктуры SiС/Si
Каяшева Л. А.
;
Чепурнов В. И.
2019
Исследование решений уравнений твердофазной диффузии бета-источника
Кузнецова А. А.
;
Долгополов М. В.
;
Чепурнов В. И.
2023
Моделирование автономного источника питания на основе кремниевой гетероструктуры
Чиндин Д. В.
;
Долгополов М. В.
;
Чепурнов В. И.
2019
Оптимизация бета-преобразователя с использованием метода Монте-Карло
Кузнецов О. В.
;
Долгополов М. В.
;
Чепурнов В. И.
2024
Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC
Чипура А. С.
;
Долгополов М. В.
;
Чепурнов В. И.
;
Раденко В. В.
2023
Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD
Лебедев Д. М.
;
Шишкина Д. А.
;
Шишкин И. А.
;
Нефедова С. А.
;
Чепурнов В. И.
;
Танеев В. В.
2017
Полупроводниковый газовый датчик на основе полупроводниковой гетероструктуры por-Si-C/Si
Подгорнов С. Н.
;
Чепурнов В. И.
;
наноматериалов С.
;
Чепурнов В. И.
;
Зайцев В. В.
2018
Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si
Медведев С. М.
;
Чепурнов В. И.
2024
Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричество
Калеев Д. А.
;
Чепурнов В. И.
2023
Преобразователь радиоизотопной энергии в электрическую, физический принцип работы полупроводниковой структуры SiC*/Si
Марченко Д. П.
;
Чепурнов В. И.
2016
Рентгенофазовый анализ алюминиевого сплава Al-Li, состаренного в постоянном магнитном поле
Саушкина Е. С.
;
Осинская Ю. В.
;
Чепурнов В. И.
2016
Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры
Сороков А. С.
;
Чепурнов В. И.
2021
Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования радиоизотопной энергии в постоянный ток полупроводниковой структурой SIC/SI
Анисимов Н. С.
;
Петенко И. А.
;
Чепурнов В. И.
2021
Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию
Анисимов Н. С.
;
Чепурнов В. И.
2024
Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического распада С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию
Кильметов Р. Р.
;
Чепурнов В. И.
2003
Физика полупроводников и диэлектриков. - Ч. 2: Сборник задач
Чепурнов В. И.
;
Фридман Т. П.
2018
Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков
Сороков А. С.
;
Чепурнов В. И.