Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричество

Abstract

Объект исследования: гетероструктура n-SiC/n-Si, легированная С-14 . Предмет исследования: бетавольтаический эффект. Цель работы - анализ возможности создания эффективного преобразователя радиоизотопной энергии в электрическую энергию из структуры карбида кремния на подложке кремния. Методы исследования: инструментальный, электрофизические измерения, теоретический анализ взаимодействия излучения с полупроводником. Область применения - источники питания для микроэлектронной техники. В ходе работы были изучены источники информации по теме ВКР, были проанализированы полупроводниковые преобразователи и радиоизотопы. Для её создания использовалась подложка кремния, на которой методом эндотаксии в CVD- реакторе выращивался слой карбида кремния, часть стабильных атомов углерода-12 которого была представлена C-14. Данным способом были сформированы структуры, отличающихся положением подложкодержателей относительно индуктора CVD- реактора с холодными стенками - что определяет температурное поле и термодинамические усло