Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричество

Калеев Д. А.; Чепурнов В. И.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Калеев Д. А.
dc.contributor.author	Чепурнов В. И.
dc.coverage.spatial	CVD-реактор
dc.coverage.spatial	бетавольтаический преобразователь
dc.coverage.spatial	гетероструктура SiC/Si
dc.coverage.spatial	полупроводниковые структуры
dc.coverage.spatial	преобразование энергии радиоактивного распада
dc.coverage.spatial	С-14
dc.creator	Калеев Д. А.
dc.date	2024
dc.date.accessioned	2025-11-27T12:37:37Z	-
dc.date.available	2025-11-27T12:37:37Z	-
dc.date.issued	2024
dc.identifier.identifier	RU\НТБ СГАУ\ВКР20240801141955
dc.identifier.citation	Калеев, Д. А. Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричество : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика / Д. А. Калеев ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тве. - Самара, 2024. - 1 файл (3,4 Мб). - Текст : электронный
dc.identifier.uri	http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/50594	-
dc.description.abstract	Объект исследования: гетероструктура n-SiC/n-Si, легированная С-14 . Предмет исследования: бетавольтаический эффект. Цель работы - анализ возможности создания эффективного преобразователя радиоизотопной энергии в электрическую энергию из структуры карбида кремния на подложке кремния. Методы исследования: инструментальный, электрофизические измерения, теоретический анализ взаимодействия излучения с полупроводником. Область применения - источники питания для микроэлектронной техники. В ходе работы были изучены источники информации по теме ВКР, были проанализированы полупроводниковые преобразователи и радиоизотопы. Для её создания использовалась подложка кремния, на которой методом эндотаксии в CVD- реакторе выращивался слой карбида кремния, часть стабильных атомов углерода-12 которого была представлена C-14. Данным способом были сформированы структуры, отличающихся положением подложкодержателей относительно индуктора CVD- реактора с холодными стенками - что определяет температурное поле и термодинамические усло
dc.subject	полупроводниковые структуры
dc.subject	С-14
dc.subject	преобразование энергии радиоактивного распада
dc.subject	бетавольтаический преобразователь
dc.subject	гетероструктура SiC/Si
dc.subject	CVD-реактор
dc.subject.rugasnti	47.29.31
dc.subject.udc	621.383
dc.title	Потенциал возможностей полупроводниковых структур прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электричество
dc.type	Text
local.contributor.author	Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.author	Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.author	Естественнонаучный институт
local.identifier.olduri	http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Potencial-vozmozhnostei-poluprovodnikovyh-struktur-pryamogo-preobrazovaniya-energii-radioaktivnogo-raspada-v-elektrichestvo-111944
local.identifier.olduri	http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Potencial-vozmozhnostei-poluprovodnikovyh-struktur-pryamogo-preobrazovaniya-energii-radioaktivnogo-raspada-v-elektrichestvo-111944
Appears in Collections:	Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:

File	Size	Format
Калеев_Денис_Алексеевич_Потенциал_возможностей_полупроводниковых_структур.pdf	3.44 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show simple item record

Samara University Repository

Welcome!