Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков

Abstract

Объект исследования: чувствительные элементы полупроводниковых химических датчиков. Предмет исследования: мезопористая гетероструктура SiC/Si с металлизацией контактных площадок чувствительного элемента химического датчика. Цель работы: формирование омических контактов к чувствительному элементу химического датчика на основе гетероструктуры por-n-SiС/p-Si(100). Методы исследования: инструментальные, электрофизические, теоретические, физико-химические, структурные.Исследование и разработки: выполнен литературный обзор существующих технических решений по изготовлению полупроводниковых газовых датчиков. Кроме того проведен анализ возможных вариантов исполнения гетероструктуры чувствительного элемента газового датчика. Изготовлены чувствительные элементы газового датчика на основе гетероструктуры роr-SiC/Si, и проведено тестирование газовой чувствительности к токсичным и горючим газам.Элементы научной новизны: исследованы потенциальные возможности ранее не исследованной, судя по литературному обзору, гетеростру