1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСороков А. С.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.coverage.spatialмезопористые структурированные материалы (МСМ)
dc.coverage.spatialгетероструктуры por-n-SiС/p-Si
dc.coverage.spatialгетероструктуры SiC/Si
dc.coverage.spatialполупроводниковые газовые датчики
dc.coverage.spatialполупроводниковые датчики
dc.coverage.spatialхимические датчики
dc.creatorСороков А. С.
dc.date2018
dc.date.accessioned2025-11-27T12:33:09Z-
dc.date.available2025-11-27T12:33:09Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423141534
dc.identifier.citationСороков, А. С. Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень магистратуры) / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. радиофизики, по. - Самара, 2018. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/48895-
dc.description.abstractОбъект исследования: чувствительные элементы полупроводниковых химических датчиков. Предмет исследования: мезопористая гетероструктура SiC/Si с металлизацией контактных площадок чувствительного элемента химического датчика. Цель работы: формирование омических контактов к чувствительному элементу химического датчика на основе гетероструктуры por-n-SiС/p-Si(100). Методы исследования: инструментальные, электрофизические, теоретические, физико-химические, структурные.Исследование и разработки: выполнен литературный обзор существующих технических решений по изготовлению полупроводниковых газовых датчиков. Кроме того проведен анализ возможных вариантов исполнения гетероструктуры чувствительного элемента газового датчика. Изготовлены чувствительные элементы газового датчика на основе гетероструктуры роr-SiC/Si, и проведено тестирование газовой чувствительности к токсичным и горючим газам.Элементы научной новизны: исследованы потенциальные возможности ранее не исследованной, судя по литературному обзору, гетеростру
dc.subjectполупроводниковые датчики
dc.subjectполупроводниковые газовые датчики
dc.subjectмезопористые структурированные материалы (МСМ)
dc.subjectгетероструктуры por-n-SiС/p-Si
dc.subjectгетероструктуры SiC/Si
dc.subjectхимические датчики
dc.subject.rugasnti47.29.31
dc.subject.udc621.383
dc.titleФормирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков
dc.typeText
local.contributor.authorполупроводниковой микро- и наноэлектроники
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизики
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Formirovanie-metallizacii-k-mezaporistomu-slou-geterostruktury-rorSiSSi-himicheskih-datchikov-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-Fizika-uroven-magistratury-78416
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Сороков_Алексей_Сергеевич_Формирование_металлизации_мезапористому.pdf4.04 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.