Samara University Repository
Welcome!
| Title: | Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD |
| Authors: | Лебедев Д. М. Шишкина Д. А. Шишкин И. А. Нефедова С. А. Чепурнов В. И. Танеев В. В. |
| Keywords: | HTCVD морфология карбид кремния SiC рентгенограммы вращения рост пленок |
| Issue Date: | 2023 |
| Citation: | Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD / Д. М. Лебедев, Д. А. Шишкина, И. А. Шишкин [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012402. |
| Abstract: | Данная работа посвящена исследованиям морфологии и структуры пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD. Представлены снимки поверхности структур, демонстрирующие особенности роста пленок карбида кремния на разных уровнях подложкодержателя. Анализ рентгенограмм вращения показал наличие пленок карбида кремния 3-C политипа. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/12771 |
| Appears in Collections: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 978-5-7883-1917-9_2023-012402.pdf | 477.2 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.