1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Информационные технологии и нанотехнологии
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛебедев Д. М.
dc.contributor.authorШишкина Д. А.
dc.contributor.authorШишкин И. А.
dc.contributor.authorНефедова С. А.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.contributor.authorТанеев В. В.
dc.coverage.spatialHTCVD
dc.coverage.spatialморфология
dc.coverage.spatialкарбид кремния SiC
dc.coverage.spatialрентгенограммы вращения
dc.coverage.spatialрост пленок
dc.creatorЛебедев Д. М., Шишкина Д. А., Шишкин И. А., Нефедова С. А., Чепурнов В. И., Танеев В. В.
dc.date2023
dc.date.accessioned2025-08-22T12:19:21Z-
dc.date.available2025-08-22T12:19:21Z-
dc.date.issued2023
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\541448
dc.identifier.citationОсобенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD / Д. М. Лебедев, Д. А. Шишкина, И. А. Шишкин [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012402.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/12771-
dc.description.abstractДанная работа посвящена исследованиям морфологии и структуры пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD. Представлены снимки поверхности структур, демонстрирующие особенности роста пленок карбида кремния на разных уровнях подложкодержателя. Анализ рентгенограмм вращения показал наличие пленок карбида кремния 3-C политипа.
dc.languagerus
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника
dc.subjectHTCVD
dc.subjectморфология
dc.subjectкарбид кремния SiC
dc.subjectрентгенограммы вращения
dc.subjectрост пленок
dc.titleОсобенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD
dc.typeText
dc.citation.spage012402
dc.citation.volume1
local.contributor.authorЛебедев Д. М.
local.contributor.authorШишкина Д. А.
local.contributor.authorШишкин И. А.
local.contributor.authorНефедова С. А.
local.contributor.authorЧепурнов В. И.
local.contributor.authorТанеев В. В.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Osobennosti-rosta-plenok-3SSiCSi-izgotovlennye-metodom-HTCVD-105599
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Osobennosti-rosta-plenok-3SSiCSi-izgotovlennye-metodom-HTCVD-105599
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-1917-9_2023-012402.pdf477.2 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.