Title: Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию
Authors: Анисимов Н. С.
Чепурнов В. И.
Keywords: карбид кремния
бетавольтаика
CVD-метод
полупроводниковые структуры
электрическая энергия
травление
радиохимическое превращение атомов
прямое преобразование энергии
легирование
кремний
Issue Date: 2021
Citation: Анисимов, Н. С. Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического превращения атомов С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата). - Текст : электронный / Н. С. Анисимов ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики т. - 2021. - 1 файл (1,91 Мб)
Abstract: Объектом исследования являются структуры карбида кремния наподложке кремния.Цель работы - анализ возможности создания эффективногопреобразователя энергии бета излучения в постоянный ток структуройкарбид кремния на подложке кремния.В данной работе проведен анализ научно-технической литературы,созданы образцы структур карбида кремния на подложке кремния, измерены“темновые” вольт-амперные зависимости.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/55244
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.