Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического распада С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию

Abstract

Объектом исследования: являются структуры карбида кремния на подложке кремния. Предмет исследования: бетавольтаический эффект в полупроводниковой структуре SiC/Si. Цель работы - анализ возможности создания эффективного преобразователя энергии бета излучения в постоянный ток структурой карбид кремния на подложке кремния. В данной работе был выполнен анализ научно-технической литературы, проведён анализ возможных вариантов исполнения гетероструктур, созданы образцы структур карбида кремния на подложке кремния, измерены “темновые” вольт-амперные зависимости. Выполнена металлизация контактных площадок для эффективного сбора носителей заряда и проведена оценка выпрямляющих свойств гетеропереходов. Для понимания физического процесса, приводящего к возникновению бетавольтаического эффекта были построены диаграммы энергетических зон гетеропереходов.