1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКильметов Р. Р.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.coverage.spatialCVD-метод
dc.coverage.spatialбетавольтаика
dc.coverage.spatialкарбид кремния
dc.coverage.spatialкремний
dc.coverage.spatialлегирование
dc.coverage.spatialполупроводниковая система SiC/Si
dc.coverage.spatialполупроводниковые системы
dc.coverage.spatialпрямое преобразование энергии
dc.coverage.spatialрадиохимический распад
dc.creatorКильметов Р. Р.
dc.date2024
dc.date.accessioned2025-11-27T12:16:41Z-
dc.date.available2025-11-27T12:16:41Z-
dc.date.issued2024
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20240802145610
dc.identifier.citationКильметов, Р. Р. Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического распада С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 "Физика" (уровень магистратура), направленность (профиль) "Квантовые системы и квантовые технологии" / Р. Р. Кильметов ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики т. - Самара, 2024. - 1 файл (2,9 Мб). - Текст : электронный
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52141-
dc.description.abstractОбъектом исследования: являются структуры карбида кремния на подложке кремния. Предмет исследования: бетавольтаический эффект в полупроводниковой структуре SiC/Si. Цель работы - анализ возможности создания эффективного преобразователя энергии бета излучения в постоянный ток структурой карбид кремния на подложке кремния. В данной работе был выполнен анализ научно-технической литературы, проведён анализ возможных вариантов исполнения гетероструктур, созданы образцы структур карбида кремния на подложке кремния, измерены “темновые” вольт-амперные зависимости. Выполнена металлизация контактных площадок для эффективного сбора носителей заряда и проведена оценка выпрямляющих свойств гетеропереходов. Для понимания физического процесса, приводящего к возникновению бетавольтаического эффекта были построены диаграммы энергетических зон гетеропереходов.
dc.subjectкремний
dc.subjectбетавольтаика
dc.subjectкарбид кремния
dc.subjectлегирование
dc.subjectрадиохимический распад
dc.subjectпрямое преобразование энергии
dc.subjectполупроводниковые системы
dc.subjectполупроводниковая система SiC/Si
dc.subjectCVD-метод
dc.subject.rugasnti29.19.17
dc.subject.udc539.219
dc.titleТеоретические и прикладные аспекты прямого преобразования энергии радиохимического распада С-14 в полупроводниковой структуре SiC/Si в электрическую энергию
dc.typeText
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Teoreticheskie-i-prikladnye-aspekty-pryamogo-preobrazovaniya-energii-radiohimicheskogo-raspada-S14-v-poluprovodnikovoi-strukture-SiCSi-v-elektricheskuu-energiu-111963
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Teoreticheskie-i-prikladnye-aspekty-pryamogo-preobrazovaniya-energii-radiohimicheskogo-raspada-S14-v-poluprovodnikovoi-strukture-SiCSi-v-elektricheskuu-energiu-111963
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Кильметов_Роман_Рамзесович_Теоретические_прикладные_аспекты.pdf2.95 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.