Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si

Медведев С. М.; Чепурнов В. И.

Title:	Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si
Authors:	Медведев С. М. Чепурнов В. И.
Keywords:	позиционно-чувствительные датчики освещенность карбид кремния датчики интегрального типа гетероструктуры SiC/Si датчики линейного перемещения полупроводниковые позиционно-чувствительные датчики
Issue Date:	2018
Citation:	Медведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-line
Abstract:	Актуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку.
URI:	http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/48884
Appears in Collections:	Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:

File	Size	Format
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf	1.28 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show full item record

Samara University Repository

Welcome!