1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМедведев С. М.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.coverage.spatialгетероструктуры SiC/Si
dc.coverage.spatialосвещенность
dc.coverage.spatialкарбид кремния
dc.coverage.spatialдатчики интегрального типа
dc.coverage.spatialдатчики линейного перемещения
dc.coverage.spatialпозиционно-чувствительные датчики
dc.coverage.spatialполупроводниковые позиционно-чувствительные датчики
dc.creatorМедведев С. М.
dc.date2018
dc.date.accessioned2025-11-27T12:33:05Z-
dc.date.available2025-11-27T12:33:05Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111209
dc.identifier.citationМедведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/48884-
dc.description.abstractАктуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку.
dc.subjectпозиционно-чувствительные датчики
dc.subjectосвещенность
dc.subjectкарбид кремния
dc.subjectдатчики интегрального типа
dc.subjectгетероструктуры SiC/Si
dc.subjectдатчики линейного перемещения
dc.subjectполупроводниковые позиционно-чувствительные датчики
dc.subject.rugasnti47.29.31
dc.subject.udc621.383
dc.titleПолупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Poluprovodnikovyi-pozicionnochuvstvitelnyi-datchik-na-osnove-geterostruktury-SiCSi-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-Fizika-uroven-bakalavriata-78432
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf1.28 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.