Просмотр собрания по группе - Тема гетероструктуры SiC/Si

Перейти к: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых букв:  
Результаты 1 по 4 из 4
Год издания Название Автор(ы) Экспорт
2018Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/SiМедведев С. М.; Чепурнов В. И.; Министерство образования и науки Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт
2016Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктурыСороков А. С.; Чепурнов В. И.; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
2018Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиковСороков А. С.; Чепурнов В. И.; Министерство образования и науки Российской Федерации; Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет); Естественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизики; полупроводниковой микро- и наноэлектроники
2021Электрофизические параметры гетероструктур SIC/SI, полученных методом магнетронного распыленияТанеев А. В.; Щербак А. В.
Результаты 1 по 4 из 4