Отрывок: Структурное совершенство получаемых пленок зависит от состава исходной мишени, параметров распыления и состояния поверхности подложки. Среди методов измерения электрофизических параметров структур карбида кремния на кремнии особый интерес представляют бесконтактные СВЧ и оптические методы, так как позволяют быстро получить информацию, необходимую для корректировки параметров процесса получения пленок. Библиографический список 1. Лучинин В., Таиро...
Название : Электрофизические параметры гетероструктур SIC/SI, полученных методом магнетронного распыления
Авторы/Редакторы : Танеев А. В.
Щербак А. В.
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Танеев, А. В. Электрофизические параметры гетероструктур SIC/SI, полученных методом магнетронного распыления. - Текст : электронный / А. В. Танеев, А. В. Щербак // XVI Королевские чтения : междунар. молодеж. науч. конф., посвящ. 60-летию полета в космос Ю. А. Гагарина : сб. материалов : 5-7 окт. 2021 г. : в 3 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; [науч. ред. М. А. Шлеенков]. - 2021. - Т. 1. - С. 375-376
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Mezhdunarodnaya-molodezhnaya-nauchnaya-konferenciya-Korolevskie-chteniya/Elektrofizicheskie-parametry-geterostruktur-SICSI-poluchennyh-metodom-magnetronnogo-raspyleniya-92987
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\471408
Ключевые слова: гетероструктуры SiC/Si
карбид кремния SiC
метод магнетронного распыления
пленки карбида кремния
эндотаксия
Располагается в коллекциях: Королевские чтения

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1668-0_2021-375-376.pdf602.95 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.