Отрывок: Структурное совершенство получаемых пленок зависит от состава исходной мишени, параметров распыления и состояния поверхности подложки. Среди методов измерения электрофизических параметров структур карбида кремния на кремнии особый интерес представляют бесконтактные СВЧ и оптические методы, так как позволяют быстро получить информацию, необходимую для корректировки параметров процесса получения пленок. Библиографический список 1. Лучинин В., Таиро...
Название : | Электрофизические параметры гетероструктур SIC/SI, полученных методом магнетронного распыления |
Авторы/Редакторы : | Танеев А. В. Щербак А. В. |
Дата публикации : | 2021 |
Библиографическое описание : | Танеев, А. В. Электрофизические параметры гетероструктур SIC/SI, полученных методом магнетронного распыления. - Текст : электронный / А. В. Танеев, А. В. Щербак // XVI Королевские чтения : междунар. молодеж. науч. конф., посвящ. 60-летию полета в космос Ю. А. Гагарина : сб. материалов : 5-7 окт. 2021 г. : в 3 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; [науч. ред. М. А. Шлеенков]. - 2021. - Т. 1. - С. 375-376 |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Mezhdunarodnaya-molodezhnaya-nauchnaya-konferenciya-Korolevskie-chteniya/Elektrofizicheskie-parametry-geterostruktur-SICSI-poluchennyh-metodom-magnetronnogo-raspyleniya-92987 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\471408 |
Ключевые слова: | гетероструктуры SiC/Si карбид кремния SiC метод магнетронного распыления пленки карбида кремния эндотаксия |
Располагается в коллекциях: | Королевские чтения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-7883-1668-0_2021-375-376.pdf | 602.95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.