Отрывок: В результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци...
Название : Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si
Авторы/Редакторы : Медведев С. М.
Чепурнов В. И.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Медведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-line
Аннотация : Актуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111209
Ключевые слова: гетероструктуры SiC/Si
освещенность
карбид кремния
датчики интегрального типа
датчики линейного перемещения
позиционно-чувствительные датчики
полупроводниковые позиционно-чувствительные датчики
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf1.28 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.