Отрывок: В результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМедведев С. М.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialгетероструктуры SiC/Siru
dc.coverage.spatialосвещенностьru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialдатчики интегрального типаru
dc.coverage.spatialдатчики линейного перемещенияru
dc.coverage.spatialпозиционно-чувствительные датчикиru
dc.coverage.spatialполупроводниковые позиционно-чувствительные датчикиru
dc.creatorМедведев С. М.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111209ru
dc.identifier.citationМедведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractАктуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,3 Мб)ru
dc.titleПолупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Siru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.29.31ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.textpartВ результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf1.28 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.