Отрывок: В случае необходимости сохранения пористого слоя кремния для расчёта пористости образцов применяется упрощенный гравииметрический метод. Упрощённый метод заключается в том что очищенная кремневая пластина взвешивается до травления и сразу после траления и очистки. После чего производтся рассчёт плщади пористой области, а для исключения погрешности при расчёте прово...
Название : Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков
Авторы/Редакторы : Сороков А. С.
Чепурнов В. И.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизики
полупроводниковой микро- и наноэлектроники
Дата публикации : 2018
Библиографическое описание : Сороков, А. С. Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень магистратуры) / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. радиофизики, по. - Самара, 2018. - on-line
Аннотация : Объект исследования: чувствительные элементы полупроводниковых химических датчиков. Предмет исследования: мезопористая гетероструктура SiC/Si с металлизацией контактных площадок чувствительного элемента химического датчика. Цель работы: формирование омических контактов к чувствительному элементу химического датчика на основе гетероструктуры por-n-SiС/p-Si(100). Методы исследования: инструментальные, электрофизические, теоретические, физико-химические, структурные.Исследование и разработки: выполнен литературный обзор существующих технических решений по изготовлению полупроводниковых газовых датчиков. Кроме того проведен анализ возможных вариантов исполнения гетероструктуры чувствительного элемента газового датчика. Изготовлены чувствительные элементы газового датчика на основе гетероструктуры роr-SiC/Si, и проведено тестирование газовой чувствительности к токсичным и горючим газам.Элементы научной новизны: исследованы потенциальные возможности ранее не исследованной, судя по литературному обзору, гетеростру
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423141534
Ключевые слова: мезопористые структурированные материалы (МСМ)
гетероструктуры por-n-SiС/p-Si
гетероструктуры SiC/Si
полупроводниковые газовые датчики
полупроводниковые датчики
химические датчики
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Сороков_Алексей_Сергеевич_Формирование_металлизации_мезапористому.pdf4.04 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.