Отрывок: В случае необходимости сохранения пористого слоя кремния для расчёта пористости образцов применяется упрощенный гравииметрический метод. Упрощённый метод заключается в том что очищенная кремневая пластина взвешивается до травления и сразу после траления и очистки. После чего производтся рассчёт плщади пористой области, а для исключения погрешности при расчёте прово...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСороков А. С.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институт Физический факультет Кафедра радиофизикиru
dc.contributor.authorполупроводниковой микро- и наноэлектроникиru
dc.coverage.spatialмезопористые структурированные материалы (МСМ)ru
dc.coverage.spatialгетероструктуры por-n-SiС/p-Siru
dc.coverage.spatialгетероструктуры SiC/Siru
dc.coverage.spatialполупроводниковые газовые датчикиru
dc.coverage.spatialполупроводниковые датчикиru
dc.coverage.spatialхимические датчикиru
dc.creatorСороков А. С.ru
dc.date.issued2018ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190423141534ru
dc.identifier.citationСороков, А. С. Формирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиков : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень магистратуры) / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. радиофизики, по. - Самара, 2018. - on-lineru
dc.description.abstractОбъект исследования: чувствительные элементы полупроводниковых химических датчиков. Предмет исследования: мезопористая гетероструктура SiC/Si с металлизацией контактных площадок чувствительного элемента химического датчика. Цель работы: формирование омических контактов к чувствительному элементу химического датчика на основе гетероструктуры por-n-SiС/p-Si(100). Методы исследования: инструментальные, электрофизические, теоретические, физико-химические, структурные.Исследование и разработки: выполнен литературный обзор существующих технических решений по изготовлению полупроводниковых газовых датчиков. Кроме того проведен анализ возможных вариантов исполнения гетероструктуры чувствительного элемента газового датчика. Изготовлены чувствительные элементы газового датчика на основе гетероструктуры роr-SiC/Si, и проведено тестирование газовой чувствительности к токсичным и горючим газам.Элементы научной новизны: исследованы потенциальные возможности ранее не исследованной, судя по литературному обзору, гетероструru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 3,9 Мб)ru
dc.titleФормирование металлизации к мезапористому слою гетероструктуры роr-SiС/Si химических датчиковru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.29.31ru
dc.subject.udc621.383ru
dc.textpartВ случае необходимости сохранения пористого слоя кремния для расчёта пористости образцов применяется упрощенный гравииметрический метод. Упрощённый метод заключается в том что очищенная кремневая пластина взвешивается до травления и сразу после траления и очистки. После чего производтся рассчёт плщади пористой области, а для исключения погрешности при расчёте прово...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Сороков_Алексей_Сергеевич_Формирование_металлизации_мезапористому.pdf4.04 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.