Отрывок: 3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф...
Название : Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры
Авторы/Редакторы : Сороков А. С.
Чепурнов В. И.
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Дата публикации : 2016
Библиографическое описание : Сороков, А. С. Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line
Аннотация : Выпускная квалификационная работа включает в себя реферат, содержание, введение, основную и практическую части, заключение и список литературы и приложение. Работа содержит 24 рисунка и 2 таблицы. В выпускной квалификационной работе представлено исследова
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117114556
Ключевые слова: омические контакты
отжиг контактов
тензометрические характеристики
тензопреобразователи
термокомпрессия
карбид кремния
контактные металлизации полупроводниковых подложек
полупроводниковые гетероструктуры
полупроводниковые подложки
датчики информации
гетероструктуры SiC/Si
металлические тензодатчики
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Сороков_Алексей_Сергеевич_Тензопреобразователь_основе_полупроводниковой.pdf1.65 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.