Отрывок: 3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСороков А. С.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.coverage.spatialомические контактыru
dc.coverage.spatialотжиг контактовru
dc.coverage.spatialтензометрические характеристикиru
dc.coverage.spatialтензопреобразователиru
dc.coverage.spatialтермокомпрессияru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialконтактные металлизации полупроводниковых подложекru
dc.coverage.spatialполупроводниковые гетероструктурыru
dc.coverage.spatialполупроводниковые подложкиru
dc.coverage.spatialдатчики информацииru
dc.coverage.spatialгетероструктуры SiC/Siru
dc.coverage.spatialметаллические тензодатчикиru
dc.creatorСороков А. С.ru
dc.date.issued2016ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20161117114556ru
dc.identifier.citationСороков, А. С. Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-lineru
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа включает в себя реферат, содержание, введение, основную и практическую части, заключение и список литературы и приложение. Работа содержит 24 рисунка и 2 таблицы. В выпускной квалификационной работе представлено исследоваru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб)ru
dc.titleТензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктурыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33ru
dc.subject.udc537.311ru
dc.textpart3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Сороков_Алексей_Сергеевич_Тензопреобразователь_основе_полупроводниковой.pdf1.65 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.