Title: Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния
Authors: Елесин Н. Д.
Keywords: тонкопленочный транзистор
пороговая неусточивость
пороговое напряжение
оптический транзистор
нанокристаллический кремний
напряжение
концентрация легирования
Issue Date: 2018
Citation: Елесин, Н. Д. Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния / Н. Д. Елесин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - 2018. - С. 138-139. - ISBN = 978-5-473-01191-3
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/6192
ISBN: 978-5-473-01191-3
Appears in Collections:Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
138-139.pdfМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния277.98 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.