1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕлесин Н. Д.
dc.coverage.spatialтонкопленочный транзистор
dc.coverage.spatialпороговая неусточивость
dc.coverage.spatialпороговое напряжение
dc.coverage.spatialоптический транзистор
dc.coverage.spatialнанокристаллический кремний
dc.coverage.spatialнапряжение
dc.coverage.spatialконцентрация легирования
dc.creatorЕлесин Н. Д.
dc.date2018
dc.date.accessioned2025-08-22T12:09:30Z-
dc.date.available2025-08-22T12:09:30Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.identifierDspace\SGAU\20180608\70157
dc.identifier.citationЕлесин, Н. Д. Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния / Н. Д. Елесин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - 2018. - С. 138-139. - ISBN = 978-5-473-01191-3
dc.identifier.isbn978-5-473-01191-3
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/6192-
dc.languagerus
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.)
dc.subjectтонкопленочный транзистор
dc.subjectпороговая неусточивость
dc.subjectпороговое напряжение
dc.subjectоптический транзистор
dc.subjectнанокристаллический кремний
dc.subjectнапряжение
dc.subjectконцентрация легирования
dc.titleМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния
dc.typeText
dc.citation.epage139
dc.citation.spage138
local.contributor.authorЕлесин Н. Д.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Model-dlya-porogovoi-neustoichivosti-napryazheniya-v-tonkoplenochnom-tranzistore-na-osnove-nanokristallicheskogo-kremniya-70157
Appears in Collections:Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
138-139.pdfМодель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния277.98 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.