| Title: | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого карбида кремния |
| Authors: | Бузаль Д. С. Щербак А. В. |
| Keywords: | карбид кремния напыление контактов параметры ФЭП пористый кремний спектральная характеристика фотоэлектрические преобразователи |
| Issue Date: | 2025 |
| Citation: | Бузаль, Д. С. Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого карбида кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Д. С. Бузаль ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естеств. и мат. наук, Физ. фак., Каф. физики т. - Самаpа, 2025. - 1 файл (2,3 Мб). - Текст : электронный |
| Abstract: | Объектом исследования являются структуры фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния и пористого карбида кремния. Цель работы – исследование влияния карбидизации пористого слоя на фотоэлектрические параметры получаемых слоев пористого карбида кремния. В процессе работы были использованы: электрохимический метод травления для получения пористых слоев, а также метод эндотаксии для получения слоев пористого карбида кремния.В результате работы было показано, что в структурах por-p-SiC/por-p-Si/n-Si возникает фотоэдс, обратный ток указанных структур слабо изменяется в диапазоне температур от 20 до 120°С,оба образца фотоэлектрических преобразователей имеют примерно одинаковый коэффициент заполнения. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/61650 |
| ISBN: | |
| ISSN: | |
| ISMN: | |
| Other Identifiers: | RU\НТБ СГАУ\ВКР20250924162749 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Бузаль_Дмитрий_Сергеевич_Фотоэлектрические_преобразователи_основе.pdf | 2.34 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.