Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого карбида кремния

Abstract

Объектом исследования являются структуры фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния и пористого карбида кремния. Цель работы – исследование влияния карбидизации пористого слоя на фотоэлектрические параметры получаемых слоев пористого карбида кремния. В процессе работы были использованы: электрохимический метод травления для получения пористых слоев, а также метод эндотаксии для получения слоев пористого карбида кремния.В результате работы было показано, что в структурах por-p-SiC/por-p-Si/n-Si возникает фотоэдс, обратный ток указанных структур слабо изменяется в диапазоне температур от 20 до 120°С,оба образца фотоэлектрических преобразователей имеют примерно одинаковый коэффициент заполнения.