Samara University Repository
Welcome!
| Title: | Диод с барьером Шоттки 1-кВ класса на основе оксида галлия |
| Other Titles: | |
| Authors: | Алмаев А. В. Корчемагин А. О. Яковлев Н. Н. |
| Keywords: | Ga2Os ДБШ диоды с барьером Шоттки силовая электроника |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Publisher |
| Citation: | Яковлев, Н. Н. Диод с барьером Шоттки 1-кВ класса на основе оксида галлия / Н. Н. Яковлев, А. В. Алмаев, А. О. Корчемагин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2025) : материалы XI междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самарканд, Узбекистан, 7-9 окт. 2025 г.) / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т). - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2025. - С. 061212. |
| Abstract: | В настоящей работе предлагается разработать лабораторный образец силового диода Шоттки 1кВ-класса на основе Ga2O3. Образцы ДБШ на основе Ga2O3 проанализировались при комнатной температуре и темноте с помощью термоэмиссионной модели и метода Ченга. Получены значения высоты барьера Шоттки, коэффициента идеальности и плотность тока насыщения составила 1,72 э В, 1,35 и 8,05 - 10-12 А/см2 соответственно. Диоды показали высокий коэффициент выпрямления - 6,2 - 1010 отн. ед. при приложенном напряжении Ѓ} 2В и напряжение пробоя 1019 В созначение плотности тока утечки ~ 10 -11А/см 2. |
| ISBN: | |
| ISSN: | |
| ISMN: | |
| Other Identifiers: | RU\НТБ СГАУ\582184 |
| Appears in Collections: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 978-5-7883-2262-9_2025-355-356.pdf | 114.62 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.