1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 04. Материалы конференций
  3. Информационные технологии и нанотехнологии
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАлмаев А. В.ru
dc.contributor.authorКорчемагин А. О.ru
dc.contributor.authorЯковлев Н. Н.ru
dc.date.accessioned2026-01-23T11:29:00Z-
dc.date.available2026-01-23T11:29:00Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\582184ru
dc.identifier.citationЯковлев, Н. Н. Диод с барьером Шоттки 1-кВ класса на основе оксида галлия / Н. Н. Яковлев, А. В. Алмаев, А. О. Корчемагин // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2025) : материалы XI междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самарканд, Узбекистан, 7-9 окт. 2025 г.) / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т). - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2025. - С. 061212.ru
dc.identifier.isbnru
dc.identifier.issnru
dc.identifier.ismnru
dc.identifier.npsru
dc.identifier.orcidru
dc.description.abstractВ настоящей работе предлагается разработать лабораторный образец силового диода Шоттки 1кВ-класса на основе Ga2O3. Образцы ДБШ на основе Ga2O3 проанализировались при комнатной температуре и темноте с помощью термоэмиссионной модели и метода Ченга. Получены значения высоты барьера Шоттки, коэффициента идеальности и плотность тока насыщения составила 1,72 э В, 1,35 и 8,05 - 10-12 А/см2 соответственно. Диоды показали высокий коэффициент выпрямления - 6,2 - 1010 отн. ед. при приложенном напряжении Ѓ} 2В и напряжение пробоя 1019 В созначение плотности тока утечки ~ 10 -11А/см 2.ru
dc.description.firstpage061212ru
dc.format.extentru
dc.format.mimetypeTextru
dc.language.isorusru
dc.publisherPublisherru
dc.rightsLicenseru
dc.sourceSourceru
dc.textpart-
dc.subjectGa2Osru
dc.subjectДБШru
dc.subjectдиоды с барьером Шотткиru
dc.subjectсиловая электроникаru
dc.subject.rubbkru
dc.subject.rugasntiru
dc.subject.udcru
dc.titleДиод с барьером Шоттки 1-кВ класса на основе оксида галлияru
dc.title.alternativeru
dc.typeType Textru
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-2262-9_2025-355-356.pdf114.62 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.