Title: Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой
Authors: Колпаков В. А.
Колпаков А. И.
Кричевский С. В.
Keywords: электронно-лучевая технология
формирование омических контактов
характеристики переходного сопротивления
полупроводники
газоразрядная плазма
величина сопротивления
параметры электронного луча
неинжектирующие контакты
Issue Date: 2010
Citation: Колпаков, В. А. Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2010. - С. 34-35.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/5945
Appears in Collections:Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-0819-7_2010-34-35.pdf92.12 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.