| Title: | Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой |
| Authors: | Колпаков В. А. Колпаков А. И. Кричевский С. В. |
| Keywords: | электронно-лучевая технология формирование омических контактов характеристики переходного сопротивления полупроводники газоразрядная плазма величина сопротивления параметры электронного луча неинжектирующие контакты |
| Issue Date: | 2010 |
| Citation: | Колпаков, В. А. Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2010. - С. 34-35. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/5945 |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 978-5-7883-0819-7_2010-34-35.pdf | 92.12 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.