Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКолпаков В. А.
dc.contributor.authorКолпаков А. И.
dc.contributor.authorКричевский С. В.
dc.coverage.spatialэлектронно-лучевая технология
dc.coverage.spatialформирование омических контактов
dc.coverage.spatialхарактеристики переходного сопротивления
dc.coverage.spatialполупроводники
dc.coverage.spatialгазоразрядная плазма
dc.coverage.spatialвеличина сопротивления
dc.coverage.spatialпараметры электронного луча
dc.coverage.spatialнеинжектирующие контакты
dc.creatorКолпаков В. А., Колпаков А. И., Кричевский С. В.
dc.date2010
dc.date.accessioned2025-08-22T12:09:59Z-
dc.date.available2025-08-22T12:09:59Z-
dc.date.issued2010
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\559660
dc.identifier.citationКолпаков, В. А. Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2010. - С. 34-35.
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/5945-
dc.languagerus
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. - Текст : электронный
dc.subjectэлектронно-лучевая технология
dc.subjectформирование омических контактов
dc.subjectхарактеристики переходного сопротивления
dc.subjectполупроводники
dc.subjectгазоразрядная плазма
dc.subjectвеличина сопротивления
dc.subjectпараметры электронного луча
dc.subjectнеинжектирующие контакты
dc.titleФормирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой
dc.typeText
dc.citation.epage35
dc.citation.spage34
local.contributor.authorКолпаков В. А.
local.contributor.authorКолпаков А. И.
local.contributor.authorКричевский С. В.
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Formirovanie-omicheskih-kontaktov-oblucheniem-struktury-NiSi-gazorazryadnoi-plazmoi-111001
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Formirovanie-omicheskih-kontaktov-oblucheniem-struktury-NiSi-gazorazryadnoi-plazmoi-111001
Appears in Collections:Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-0819-7_2010-34-35.pdf92.12 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.