Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Колпаков В. А. | |
| dc.contributor.author | Колпаков А. И. | |
| dc.contributor.author | Кричевский С. В. | |
| dc.coverage.spatial | электронно-лучевая технология | |
| dc.coverage.spatial | формирование омических контактов | |
| dc.coverage.spatial | характеристики переходного сопротивления | |
| dc.coverage.spatial | полупроводники | |
| dc.coverage.spatial | газоразрядная плазма | |
| dc.coverage.spatial | величина сопротивления | |
| dc.coverage.spatial | параметры электронного луча | |
| dc.coverage.spatial | неинжектирующие контакты | |
| dc.creator | Колпаков В. А., Колпаков А. И., Кричевский С. В. | |
| dc.date | 2010 | |
| dc.date.accessioned | 2025-08-22T12:09:59Z | - |
| dc.date.available | 2025-08-22T12:09:59Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.identifier | RU\НТБ СГАУ\559660 | |
| dc.identifier.citation | Колпаков, В. А. Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой / В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2010. - С. 34-35. | |
| dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/5945 | - |
| dc.language | rus | |
| dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 25-27 мая 2010 г. - Текст : электронный | |
| dc.subject | электронно-лучевая технология | |
| dc.subject | формирование омических контактов | |
| dc.subject | характеристики переходного сопротивления | |
| dc.subject | полупроводники | |
| dc.subject | газоразрядная плазма | |
| dc.subject | величина сопротивления | |
| dc.subject | параметры электронного луча | |
| dc.subject | неинжектирующие контакты | |
| dc.title | Формирование омических контактов облучением структуры Ni-Si газоразрядной плазмой | |
| dc.type | Text | |
| dc.citation.epage | 35 | |
| dc.citation.spage | 34 | |
| local.contributor.author | Колпаков В. А. | |
| local.contributor.author | Колпаков А. И. | |
| local.contributor.author | Кричевский С. В. | |
| local.identifier.olduri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Formirovanie-omicheskih-kontaktov-oblucheniem-struktury-NiSi-gazorazryadnoi-plazmoi-111001 | |
| local.identifier.olduri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Formirovanie-omicheskih-kontaktov-oblucheniem-struktury-NiSi-gazorazryadnoi-plazmoi-111001 | |
| Appears in Collections: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций | |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| 978-5-7883-0819-7_2010-34-35.pdf | 92.12 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.