Title: Установка для исследования процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике
Authors: Сумароков В. О.
Архипов А. В.
Keywords: время жизни
диффузионная длина
Концентрация
неравновесные носители заряда
пластины полупроводников
полупроводники
рекомбинация
фотопроводимость
Issue Date: 2020
Citation: Сумароков, В. О. Установка для исследования процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Сумароков ; рук. работы А. В. Архипов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2020. - on-line
Abstract: Объектом исследования является экспериментальное изучение процессоврекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда за счет определения временижизни и диффузионной длины в пластине полупроводника.Цель работы - разработка установки для исследования процесса рекомбинации идиффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике.В результате работы были приведены методики и модели расчета времени жизниносителей заряда, выбран алгоритм для экспериментального измерения параметровполупроводника, разработана схема измерения и выбраны составные части установки,разработаны оригинальные детали установки и предложен вариант автоматизированнойобработки результатов измерения времени жизни носителей заряда.Эффективность работы заключается в определении времени жизни носителей зарядав полупроводнике, что позволяет оценить качество используемого материала.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/56238
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.