Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСумароков В. О.
dc.contributor.authorАрхипов А. В.
dc.coverage.spatialфотопроводимость
dc.coverage.spatialполупроводники
dc.coverage.spatialпластины полупроводников
dc.coverage.spatialвремя жизни
dc.coverage.spatialрекомбинация
dc.coverage.spatialКонцентрация
dc.coverage.spatialдиффузионная длина
dc.coverage.spatialнеравновесные носители заряда
dc.creatorСумароков В. О.
dc.date2020
dc.date.accessioned2025-11-27T12:10:32Z-
dc.date.available2025-11-27T12:10:32Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20200625132219
dc.identifier.citationСумароков, В. О. Установка для исследования процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Сумароков ; рук. работы А. В. Архипов ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2020. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/56238-
dc.description.abstractОбъектом исследования является экспериментальное изучение процессоврекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда за счет определения временижизни и диффузионной длины в пластине полупроводника.Цель работы - разработка установки для исследования процесса рекомбинации идиффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике.В результате работы были приведены методики и модели расчета времени жизниносителей заряда, выбран алгоритм для экспериментального измерения параметровполупроводника, разработана схема измерения и выбраны составные части установки,разработаны оригинальные детали установки и предложен вариант автоматизированнойобработки результатов измерения времени жизни носителей заряда.Эффективность работы заключается в определении времени жизни носителей зарядав полупроводнике, что позволяет оценить качество используемого материала.
dc.subjectвремя жизни
dc.subjectдиффузионная длина
dc.subjectКонцентрация
dc.subjectнеравновесные носители заряда
dc.subjectпластины полупроводников
dc.subjectполупроводники
dc.subjectрекомбинация
dc.subjectфотопроводимость
dc.subject.rugasnti47.09.29
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleУстановка для исследования процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorИнститут информатики
local.contributor.authorматематики и электроники
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Ustanovka-dlya-issledovaniya-processa-rekombinacii-i-diffuzii-neravnovesnyh-nositelei-zaryada-v-poluprovodnike-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-podg-85034
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.