Title: Моделирование диффузионного перераспределения ионно-имплантированных примесей
Authors: Артемьев А. Ю.
Козлова И. Н.
Keywords: диффузионное перераспределение
ионная имплантация
ионно-имплантированные примеси
концентрационный профиль
пробег иона
распределение примесей
распределения Гаусса
твердые мишени
Issue Date: 2021
Citation: Артемьев, А. Ю. Моделирование диффузионного перераспределения ионно-имплантированных примесей : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. Ю. Артемьев ; рук. работы И. Н. Козлова ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т. - Самара, 2021. - on-line
Abstract: Объектом исследования является кремниевая подложка дырочного типа проводимости марки КДБ 2 с удельным сопротивлением 2 Ом*см Цель работы – разработка физико-математической модели процесса ионной имплантации для рассчёта концентрационных профилей и глубин залегания p-n переходов. В процессе работы использована теория Линдхарда, Шарфа и Шиотта. В результате работы определено, что большинство концентрационных профилей в аморфных и кристаллических мишенях имеют ассиметричный график. Эффективность работы заключается в определении значений нормального пробега иона и среднеквадратичного отклонения, на основании которых происходит построение графиков распределения примеси.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/55212
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.