Samara University Repository
Welcome to the Samara University repository!
This is an open electronic archive created to preserve and disseminate the scientific results of our university. The works of researchers, faculty members, and students are available to everyone for academic and research purposes.
The repository contains dissertations, research articles, educational and methodological materials, monographs, and regulatory documents. The collections cover a wide range of fields: from aerospace technologies, engine engineering, and computer science to history, linguistics, mathematics, and ecology. The archive brings together the scientific heritage of the university, including materials prepared during the period of Samara State Aerospace University and Samara State University.
Looking for publications by author, title, date, or subject? Full-text search will provide relevant results. Want to explore the academic life more closely? Browse materials by the universityâs organizational units.
Descriptions of all publications and articles available in the repository can be found in the libraryâs electronic catalog. Staff and students can log in via the menu "Login -> My Resource Archive" using their personal account credentials (SSAU_id).
Use the archive for study, research, and professional development!
| Title: | Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов |
| Authors: | Положишников А. В. Павельев В. С. Шишкина Д. А. |
| Keywords: | 2D материалы графены оксид кремния полевые транзисторы транзисторы |
| Issue Date: | 2021 |
| Citation: | Положишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-line |
| Abstract: | Объектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/55182 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf | 3.94 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.