1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПоложишников А. В.
dc.contributor.authorПавельев В. С.
dc.contributor.authorШишкина Д. А.
dc.coverage.spatial2D материалы
dc.coverage.spatialграфены
dc.coverage.spatialоксид кремния
dc.coverage.spatialполевые транзисторы
dc.coverage.spatialтранзисторы
dc.creatorПоложишников А. В.
dc.date2021
dc.date.accessioned2025-11-27T12:26:50Z-
dc.date.available2025-11-27T12:26:50Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914140643
dc.identifier.citationПоложишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/55182-
dc.description.abstractОбъектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена.
dc.subject2D материалы
dc.subjectграфены
dc.subjectоксид кремния
dc.subjectполевые транзисторы
dc.subjectтранзисторы
dc.subject.rugasnti47.59
dc.subject.udc621.382.3
dc.titleРазработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorИнститут информатики
local.contributor.authorматематики и электроники
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Razrabotka-i-issledovanie-tranzistorov-na-osnove-2D-materialov-94327
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf3.94 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.