Title: Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена
Authors: Ерилкин А. А.
Агафонов А. Н.
Астапов В. Н.
Шишкина Д. А.
Keywords: MOSFET, COMSOL
полевые транзисторы
подзатворные диэлектрики
дисульфид молибдена
Issue Date: 2021
Citation: Ерилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-line
Abstract: Цель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/54911
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.