| Title: | Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена |
| Authors: | Ерилкин А. А. Агафонов А. Н. Астапов В. Н. Шишкина Д. А. |
| Keywords: | MOSFET, COMSOL полевые транзисторы подзатворные диэлектрики дисульфид молибдена |
| Issue Date: | 2021 |
| Citation: | Ерилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-line |
| Abstract: | Цель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/54911 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Ерилкин_Алексей_Андреевич_Моделирование_полевого_транзистора.pdf | 2.48 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.