Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ерилкин А. А. | |
| dc.contributor.author | Агафонов А. Н. | |
| dc.contributor.author | Астапов В. Н. | |
| dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | |
| dc.coverage.spatial | MOSFET, COMSOL | |
| dc.coverage.spatial | дисульфид молибдена | |
| dc.coverage.spatial | подзатворные диэлектрики | |
| dc.coverage.spatial | полевые транзисторы | |
| dc.creator | Ерилкин А. А. | |
| dc.date | 2021 | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-27T12:13:28Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-27T12:13:28Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914143329 | |
| dc.identifier.citation | Ерилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-line | |
| dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/54911 | - |
| dc.description.abstract | Цель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели. | |
| dc.subject | MOSFET, COMSOL | |
| dc.subject | полевые транзисторы | |
| dc.subject | подзатворные диэлектрики | |
| dc.subject | дисульфид молибдена | |
| dc.subject.rugasnti | 47.03 | |
| dc.subject.udc | 621.382.3 | |
| dc.title | Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена | |
| dc.type | Text | |
| local.contributor.author | Институт информатики | |
| local.contributor.author | математики и электроники | |
| local.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | |
| local.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | |
| local.identifier.olduri | http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-polevogo-tranzistora-s-podzatvornym-dielektrikom-iz-disulfida-molibdena-94234 | |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы | |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Ерилкин_Алексей_Андреевич_Моделирование_полевого_транзистора.pdf | 2.48 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.