Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕрилкин А. А.
dc.contributor.authorАгафонов А. Н.
dc.contributor.authorАстапов В. Н.
dc.contributor.authorШишкина Д. А.
dc.coverage.spatialMOSFET, COMSOL
dc.coverage.spatialдисульфид молибдена
dc.coverage.spatialподзатворные диэлектрики
dc.coverage.spatialполевые транзисторы
dc.creatorЕрилкин А. А.
dc.date2021
dc.date.accessioned2025-11-27T12:13:28Z-
dc.date.available2025-11-27T12:13:28Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914143329
dc.identifier.citationЕрилкин, А. А. Моделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 (уровень магистратуры) / А. А. Ерилкин ; рук. работы А. Н. Агафонов ; рец. В. Н. Астапов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т. - Самара, 2021. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/54911-
dc.description.abstractЦель выпускной квалификационной работы (ВКР) – смоделировать полевой транзистор с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: 1) Проанализировать существующие аналитические модели полевых транзисторов. 2) Разработать модель транзистора наноразмерного масштаба в среде COMSOL Multiphysics. 3) Исследовать ее поведение при изменении температуры, приложенных напряжений, провести оптимизацию модели.
dc.subjectMOSFET, COMSOL
dc.subjectполевые транзисторы
dc.subjectподзатворные диэлектрики
dc.subjectдисульфид молибдена
dc.subject.rugasnti47.03
dc.subject.udc621.382.3
dc.titleМоделирование полевого транзистора с подзатворным диэлектриком из дисульфида молибдена
dc.typeText
local.contributor.authorИнститут информатики
local.contributor.authorматематики и электроники
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-polevogo-tranzistora-s-podzatvornym-dielektrikom-iz-disulfida-molibdena-94234
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.