Samara University Repository
Welcome!
| Title: | Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC |
| Authors: | Чипура А. С. Долгополов М. В. Чепурнов В. И. Раденко В. В. |
| Keywords: | гетероструктуры бетавольтаические элементы гетеропереходы напряжение холостого хода электронные зонные структуры радиоактивные источники плотность тока короткого замыкания активированные наноразмерные гетероструктуры |
| Issue Date: | 2024 |
| Citation: | Чипура, А. С. Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 "Физика" (уровень магистратуры), направленность (профиль) "Квантовые системы и квантовые технологии" / А. С. Чипура ; рук. работы М. В. Долгополов ; конс. В. И. Чепурнов, В. В. Раденко ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественн. - Самара, 2024. - 1 файл (5,6 Мб). - Текст : электронный |
| Abstract: | Объект исследования: полупроводниковые гетероструктуры, активированные излучением. Цель – оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC. Задачи исследования:1. Обзор высокоэффективных бетавольтаических элементов с систематизацией критериев эффективности и факторов влияния. 2. Представить математическое описание неравновесного процесса с внутренней инжекцией и динамики плотностей токов в гетеропереходе SiC/Si. 3. Рассчитать зависимости параметров от удельной активности и распределения изотопа, провести сравнение бетавольтаических элементов. 4. Оптимизировать КПД и удельную мощность гетеропереходного бетавольтаического элемента SiC/Si, активированного 14C. Обоснованы высокоэффективные полупроводниковые гетероструктуры с тонкими пленками SiC, легированные 14C, для бетавольтаического преобразователя с током короткого замыкания порядка мкА и напряжением холостого хода до 0.5В, КПД преобразования до 23 %, зас чет устранения самопоглощения радионуклида и благодаря интегр |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52646 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Чипура_Александр_Сергеевич_Оптимизация_бетавольтаического_элемента.pdf | 5.76 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.