1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЧипура А. С.
dc.contributor.authorДолгополов М. В.
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.
dc.contributor.authorРаденко В. В.
dc.coverage.spatialактивированные наноразмерные гетероструктуры
dc.coverage.spatialбетавольтаические элементы
dc.coverage.spatialгетеропереходы
dc.coverage.spatialгетероструктуры
dc.coverage.spatialнапряжение холостого хода
dc.coverage.spatialплотность тока короткого замыкания
dc.coverage.spatialрадиоактивные источники
dc.coverage.spatialэлектронные зонные структуры
dc.creatorЧипура А. С.
dc.date2024
dc.date.accessioned2025-11-27T12:25:52Z-
dc.date.available2025-11-27T12:25:52Z-
dc.date.issued2024
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20240805115248
dc.identifier.citationЧипура, А. С. Оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 "Физика" (уровень магистратуры), направленность (профиль) "Квантовые системы и квантовые технологии" / А. С. Чипура ; рук. работы М. В. Долгополов ; конс. В. И. Чепурнов, В. В. Раденко ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественн. - Самара, 2024. - 1 файл (5,6 Мб). - Текст : электронный
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52646-
dc.description.abstractОбъект исследования: полупроводниковые гетероструктуры, активированные излучением. Цель – оптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC. Задачи исследования:1. Обзор высокоэффективных бетавольтаических элементов с систематизацией критериев эффективности и факторов влияния. 2. Представить математическое описание неравновесного процесса с внутренней инжекцией и динамики плотностей токов в гетеропереходе SiC/Si. 3. Рассчитать зависимости параметров от удельной активности и распределения изотопа, провести сравнение бетавольтаических элементов. 4. Оптимизировать КПД и удельную мощность гетеропереходного бетавольтаического элемента SiC/Si, активированного 14C. Обоснованы высокоэффективные полупроводниковые гетероструктуры с тонкими пленками SiC, легированные 14C, для бетавольтаического преобразователя с током короткого замыкания порядка мкА и напряжением холостого хода до 0.5В, КПД преобразования до 23 %, зас чет устранения самопоглощения радионуклида и благодаря интегр
dc.subjectгетероструктуры
dc.subjectбетавольтаические элементы
dc.subjectгетеропереходы
dc.subjectнапряжение холостого хода
dc.subjectэлектронные зонные структуры
dc.subjectрадиоактивные источники
dc.subjectплотность тока короткого замыкания
dc.subjectактивированные наноразмерные гетероструктуры
dc.subject.rugasnti44.41.35
dc.subject.udc621.383
dc.titleОптимизация бетавольтаического элемента с инжектором в гетеропереходе с тонкой пленкой SiC
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерации
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Optimizaciya-betavoltaicheskogo-elementa-s-inzhektorom-v-geteroperehode-s-tonkoi-plenkoi-SiC-112016
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Optimizaciya-betavoltaicheskogo-elementa-s-inzhektorom-v-geteroperehode-s-tonkoi-plenkoi-SiC-112016
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Чипура_Александр_Сергеевич_Оптимизация_бетавольтаического_элемента.pdf5.76 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.