Title: Эндотаксия SiC на пористом кремнии
Authors: Рашкина А. А.
Латухина Н. В.
Keywords: гетероструктура SiC/Si
карбид кремния
метод комбинационного рассеяния света
метод эндотаксии
пористый кремний
Issue Date: 2016
Citation: Рашкина, А. А. Эндотаксия SiC на пористом кремнии : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. А. Рашкина ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и. - Самара, 2016. - on-line
Abstract: Выпускная квалификационная работа включает в себя: 40 страниц, 14 иллюстраций, 4 таблицы, 6 страниц приложения, 24 использованных источника. Объектом исследования данной работы является гетероструктура SiC на пористом кремнии. Цель работы – исследование с
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52003
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.