| Title: | Эндотаксия SiC на пористом кремнии |
| Authors: | Рашкина А. А. Латухина Н. В. |
| Keywords: | гетероструктура SiC/Si карбид кремния метод комбинационного рассеяния света метод эндотаксии пористый кремний |
| Issue Date: | 2016 |
| Citation: | Рашкина, А. А. Эндотаксия SiC на пористом кремнии : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. А. Рашкина ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и. - Самара, 2016. - on-line |
| Abstract: | Выпускная квалификационная работа включает в себя: 40 страниц, 14 иллюстраций, 4 таблицы, 6 страниц приложения, 24 использованных источника. Объектом исследования данной работы является гетероструктура SiC на пористом кремнии. Цель работы – исследование с |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52003 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Рашкина_Анна_Андреевна_Эндотаксия_пористом.pdf | 2.29 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.