Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРашкина А. А.
dc.contributor.authorЛатухина Н. В.
dc.coverage.spatialкарбид кремния
dc.coverage.spatialпористый кремний
dc.coverage.spatialметод эндотаксии
dc.coverage.spatialгетероструктура SiC/Si
dc.coverage.spatialметод комбинационного рассеяния света
dc.creatorРашкина А. А.
dc.date2016
dc.date.accessioned2025-11-27T12:17:24Z-
dc.date.available2025-11-27T12:17:24Z-
dc.date.issued2016
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20161117113139
dc.identifier.citationРашкина, А. А. Эндотаксия SiC на пористом кремнии : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. А. Рашкина ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и. - Самара, 2016. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/52003-
dc.description.abstractВыпускная квалификационная работа включает в себя: 40 страниц, 14 иллюстраций, 4 таблицы, 6 страниц приложения, 24 использованных источника. Объектом исследования данной работы является гетероструктура SiC на пористом кремнии. Цель работы – исследование с
dc.subjectгетероструктура SiC/Si
dc.subjectкарбид кремния
dc.subjectметод комбинационного рассеяния света
dc.subjectметод эндотаксии
dc.subjectпористый кремний
dc.subject.rugasnti29.29
dc.subject.udc537.311
dc.titleЭндотаксия SiC на пористом кремнии
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/VKR/Endotaksiya-SiC-na-poristom-kremnii-vyp-kvalifikac-rabota-po-spec-Fizika-60310
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.