Title: Электрофизические свойства структур «карбид кремния на кремнии» и «карбид кремния на поликоре» на сверхвысоких частотах
Authors: Доброва М. В.
Щербак А. В.
Keywords: SiC/Si структуры
волноводы
заполнение сечения волновода
карбид кремния
магнетронное распыление
пленочные структуры
полупроводники
сверхвысокие частоты
электрофизические параметры
эндотаксия
Issue Date: 2019
Citation: Доброва, М. В. Электрофизические свойства структур «карбид кремния на кремнии» и «карбид кремния на поликоре» на сверхвысоких частотах : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата) / М. В. Доброва ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. физики тверд. тела и неравновес. систем. - Самара, 2019. - on-line
Abstract: Объектом исследования является структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых методом эндотаксии и ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление тонких пленок карбида кремния на монокристаллических (кремний, сапфир) и поликристаллических (поликор) подложках, полученные с помощью волновода частично перекрытого образцом. В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на кремнии и поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/51712
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы



Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.