1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 05. Выпускные квалификационные работы
  3. Выпускные квалификационные работы
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДоброва М. В.
dc.contributor.authorЩербак А. В.
dc.coverage.spatialэлектрофизические параметры
dc.coverage.spatialпленочные структуры
dc.coverage.spatialполупроводники
dc.coverage.spatialэндотаксия
dc.coverage.spatialзаполнение сечения волновода
dc.coverage.spatialкарбид кремния
dc.coverage.spatialSiC/Si структуры
dc.coverage.spatialсверхвысокие частоты
dc.coverage.spatialмагнетронное распыление
dc.coverage.spatialволноводы
dc.creatorДоброва М. В.
dc.date2019
dc.date.accessioned2025-11-27T12:32:17Z-
dc.date.available2025-11-27T12:32:17Z-
dc.date.issued2019
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20191218135629
dc.identifier.citationДоброва, М. В. Электрофизические свойства структур «карбид кремния на кремнии» и «карбид кремния на поликоре» на сверхвысоких частотах : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата) / М. В. Доброва ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физ. фак-т, Каф. физики тверд. тела и неравновес. систем. - Самара, 2019. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/51712-
dc.description.abstractОбъектом исследования является структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых методом эндотаксии и ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление тонких пленок карбида кремния на монокристаллических (кремний, сапфир) и поликристаллических (поликор) подложках, полученные с помощью волновода частично перекрытого образцом. В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на кремнии и поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.
dc.subjectSiC/Si структуры
dc.subjectволноводы
dc.subjectзаполнение сечения волновода
dc.subjectкарбид кремния
dc.subjectмагнетронное распыление
dc.subjectпленочные структуры
dc.subjectполупроводники
dc.subjectсверхвысокие частоты
dc.subjectэлектрофизические параметры
dc.subjectэндотаксия
dc.subject.rugasnti29.01
dc.subject.udc538.9
dc.titleЭлектрофизические свойства структур «карбид кремния на кремнии» и «карбид кремния на поликоре» на сверхвысоких частотах
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки России
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.authorЕстественнонаучный институт
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Elektrofizicheskie-svoistva-struktur-«karbid-kremniya-na-kremnii»-i-«karbid-kremniya-na-polikore»-na-sverhvysokih-chastotah-vyp-kvalifikac-rabota-po-napravleniu-podgot-030302-Fizika-uroven-bakalavriata-82705
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:
File SizeFormat 
Доброва_Майя_Викторовна_Электрофизические_свойства_структур_«карбид.pdf1.25 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.