Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата

Abstract

В данной работе рассматриваются вопросы, связанные с отработкойпроцесса электронно-лучевой литографии и создания трехмерной тестовойструктуры.Цель работы – оптимизировать параметры процесса электронно-лучевойлитографии и на основании проведенной работы изготовить трехмернуютестовую структуру, подобрав оптимальное время проявления резиста и дозуэкспонирования.Исследованы основные процессы электронной литографии, ее аппаратноеобеспечение и проблемы, возникающие в процессе создания структур.Оптимизирован процесс электронной литографии для нанесения рисунка наслой резиста ПММА.Разработана тестовая трехмерная структура, изготовленная на подложкеиз кремния. Подобран позитивный резист для проведения электронно-лучевойлитографии. Определена оптимальная доза экспонирования при даннойтолщине резиста.