Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата

Васильева Э. М.; Тукмаков К. Н.; Лофицкий И. В.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Васильева Э. М.
dc.contributor.author	Тукмаков К. Н.
dc.contributor.author	Лофицкий И. В.
dc.coverage.spatial	ток пучка
dc.coverage.spatial	позитивный резист
dc.coverage.spatial	экспонирование
dc.coverage.spatial	электронно-лучевая литография
dc.coverage.spatial	сканирующий электронный микроскоп
dc.coverage.spatial	доза экспонирования
dc.creator	Васильева Э. М.
dc.date	2017
dc.date.accessioned	2025-11-27T12:34:44Z	-
dc.date.available	2025-11-27T12:34:44Z	-
dc.date.issued	2017
dc.identifier.identifier	RU\НТБ СГАУ\ВКР20171214154133
dc.identifier.citation	Васильева, Э. М. Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / Э. М. Васильева ; рук. работы К. Н. Тукмаков; рец. И. В. Лофицкий ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Фак-т электроники и приборострое. - Самара, 2017. - on-line
dc.identifier.uri	http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/47572	-
dc.description.abstract	В данной работе рассматриваются вопросы, связанные с отработкойпроцесса электронно-лучевой литографии и создания трехмерной тестовойструктуры.Цель работы – оптимизировать параметры процесса электронно-лучевойлитографии и на основании проведенной работы изготовить трехмернуютестовую структуру, подобрав оптимальное время проявления резиста и дозуэкспонирования.Исследованы основные процессы электронной литографии, ее аппаратноеобеспечение и проблемы, возникающие в процессе создания структур.Оптимизирован процесс электронной литографии для нанесения рисунка наслой резиста ПММА.Разработана тестовая трехмерная структура, изготовленная на подложкеиз кремния. Подобран позитивный резист для проведения электронно-лучевойлитографии. Определена оптимальная доза экспонирования при даннойтолщине резиста.
dc.subject	доза экспонирования
dc.subject	позитивный резист
dc.subject	сканирующий электронный микроскоп
dc.subject	ток пучка
dc.subject	экспонирование
dc.subject	электронно-лучевая литография
dc.subject.rugasnti	47.59.49
dc.subject.udc	621.382
dc.title	Оптимизация технологии электронной литографии для изготовления трехмерных структур в объеме полиметилметакрилата
dc.type	Text
local.contributor.author	Министерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.author	Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.contributor.author	Институт информатики
local.contributor.author	математики и электроники
local.identifier.olduri	http://repo.ssau.ru/handle/VKR/Optimizaciya-tehnologii-elektronnoi-litografii-dlya-izgotovleniya-trehmernyh-struktur-v-obeme-polimetilmetakrilata-vyp-kvalifikac-rabota-po-spec-Elektronika-i-nanoelektronika-69347
Appears in Collections:	Выпускные квалификационные работы

Files in This Item:

File	Size	Format
Васильева_Элина_Михайловна_Оптимизация_технологии_электронной_литографии.pdf	1.22 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show simple item record

Samara University Repository

Welcome!