| Title: | Омические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии |
| Authors: | Исаев Н. Е. Щербак А. В. |
| Keywords: | карбид кремния омические контакты метод эндотаксии метод термического вакуумного испарения |
| Issue Date: | 2023 |
| Citation: | Исаев, Н. Е. Омические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Н. Е. Исаев ; рук. работы А. В. Щербак; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики твердо. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,42 Мб). - Текст : электронный |
| Abstract: | Цель данной работы: определение переходного сопротивления омических контактов, получаемых методом термического вакуумного испарения к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена описанию методов измерения сопротивления омических контактов. В третьей главе представлены результаты исследования омических контактов (элементный анализа области контакта, ВАХ, контактное сопротвиление). Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения. |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/43836 |
| Appears in Collections: | Выпускные квалификационные работы |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Исаев_Никита_Евгеньевич_Омические_контакты_структурам.pdf | 2.48 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.