Title: Исследование статических характеристик полупроводникового диода
Authors: Колпаков А. И.
Колпаков В. А.
Кричевский С. В.
Keywords: диффузионный ток
частотные свойства диода
полупроводниковые диоды
дрейфовый ток
диффузионная емкость
дифференциальное сопротивление
барьерная емкость
p-n-переход
Issue Date: 2016
Publisher: Изд-во Самар. ун-та
Citation: Исследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
Abstract: Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
Приведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета парамет
Гриф.
Используемые программы: Adobe Acrobat.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/41515
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Колпаков А.И. Исследование.pdf227.9 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.