1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 01. Учебные материалы
  3. Методические издания
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКолпаков А. И.
dc.contributor.authorКолпаков В. А.
dc.contributor.authorКричевский С. В.
dc.coverage.spatialбарьерная емкость
dc.coverage.spatialp-n-переход
dc.coverage.spatialдрейфовый ток
dc.coverage.spatialполупроводниковые диоды
dc.coverage.spatialчастотные свойства диода
dc.coverage.spatialдифференциальное сопротивление
dc.coverage.spatialдиффузионная емкость
dc.coverage.spatialдиффузионный ток
dc.date2016
dc.date.accessioned2025-11-26T12:20:32Z-
dc.date.available2025-11-26T12:20:32Z-
dc.date.issued2016
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\337711
dc.identifier.citationИсследование статических характеристик полупроводникового диода [Электронный ресурс] : [метод. указ. к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самаpа : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/41515-
dc.description.abstractТруды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия).
dc.description.abstractПриведены физические основы работы полупроводникового диода, механизмы формирования диффузионного, дрейфового токов, емкостных и частотныхсвойств p-n-перехода, теоретические сведения по анализу особенностей его конструкции. Описан порядок расчета парамет
dc.description.abstractГриф.
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.
dc.publisherИзд-во Самар. ун-та
dc.relation.isformatofИсследование статических характеристик полупроводникового диода [Текст] : [метод. указания к лаб. работам]
dc.subjectдиффузионный ток
dc.subjectчастотные свойства диода
dc.subjectполупроводниковые диоды
dc.subjectдрейфовый ток
dc.subjectдиффузионная емкость
dc.subjectдифференциальное сопротивление
dc.subjectбарьерная емкость
dc.subjectp-n-переход
dc.subject.rugasnti47.33
dc.subject.udc621.382.2(075)
dc.titleИсследование статических характеристик полупроводникового диода
dc.typeText
local.contributor.authorМинистерство образования и науки Российской Федерации
local.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-materialy/Issledovanie-staticheskih-harakteristik-poluprovodnikovogo-dioda-Elektronnyi-resurs-metod-ukaz-k-lab-rabotam-po-progr-vyssh-obrazovaniya-68642
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Колпаков А.И. Исследование.pdf227.9 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.