Title: Исследование процесса окисления тонких пленок
Authors: Пиганов М. Н.
Keywords: кремниевые пластины
тонкопленочные резисторы
термическое окисление
полупроводники
методические издания
металлические пленки
Issue Date: 1982
Citation: Исследование процесса окисления тонких пленок : метод. указания к лаб. работе № 39. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. М. Н. Пиганов]. - Куйбышев, 1982. - 1 файл (549,52 Кб)
Abstract: Используемые программы: Adobe Acrobat.
Рассматривается схема образования окислов при термическом окислении полупроводников и металлических пленок; проводится групповая подгонка тонкопленочных резисторов термическим окислением. Предлагается определить диапазон и скорость подгонки, рассчитать оценки математического ожидания, разброса сопротивления резисторов по подложке. Окислением кремниевой пластины получить пленку SOz , определить ее толщину. Рекомендуется для студентов специальности 0705.
Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия).
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/39979
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Пиганов М.Н.Исследование процесса 1982.pdf549.52 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.