Title: Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем
Authors: Пиганов М. Н.
Дмитриев В. Д.
Леднев М. А.
Keywords: изоляция
p-n переходы
биполярные транзисторы
интегральные микросхемы
диффузия
фотолитография
резистор
планарная технология
окисление
методические издания
конденсаторы
Issue Date: 1991
Citation: Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (415,96 Кб)
Abstract: Дается анализ конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов, методов изоляции и структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых интегральных микросхем, составить схему электрическую принципиальную и топологический чертеж, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов .
Используемые программы: Adobe Acrobat.
Труды сотрудников САИ (электрон. версия).
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/39651
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Пиганов М.Н. Исследование 1991.pdf415.96 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.