| Title: | Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем |
| Authors: | Пиганов М. Н. Дмитриев В. Д. Леднев М. А. |
| Keywords: | изоляция p-n переходы биполярные транзисторы интегральные микросхемы диффузия фотолитография резистор планарная технология окисление методические издания конденсаторы |
| Issue Date: | 1991 |
| Citation: | Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (415,96 Кб) |
| Abstract: | Дается анализ конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов, методов изоляции и структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых интегральных микросхем, составить схему электрическую принципиальную и топологический чертеж, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов . Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников САИ (электрон. версия). |
| URI: | http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/39651 |
| Appears in Collections: | Методические издания |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| Пиганов М.Н. Исследование 1991.pdf | 415.96 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.