1. Репозиторий Самарского национального исследовательского университета имени академика С.П. Королёва
  2. 01. Учебные материалы
  3. Методические издания
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПиганов М. Н.
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.
dc.contributor.authorЛеднев М. А.
dc.coverage.spatialp-n переходы
dc.coverage.spatialбиполярные транзисторы
dc.coverage.spatialдиффузия
dc.coverage.spatialизоляция
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемы
dc.coverage.spatialконденсаторы
dc.coverage.spatialметодические издания
dc.coverage.spatialокисление
dc.coverage.spatialпланарная технология
dc.coverage.spatialрезистор
dc.coverage.spatialфотолитография
dc.date1991
dc.date.accessioned2025-11-26T12:21:46Z-
dc.date.available2025-11-26T12:21:46Z-
dc.date.issued1991
dc.identifier.identifierRU\НТБ СГАУ\476804
dc.identifier.citationИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (415,96 Кб)
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/39651-
dc.description.abstractДается анализ конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов, методов изоляции и структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых интегральных микросхем, составить схему электрическую принципиальную и топологический чертеж, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов .
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.
dc.description.abstractТруды сотрудников САИ (электрон. версия).
dc.languagerus
dc.relation.isformatofИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредственный
dc.subjectp-n переходы
dc.subjectбиполярные транзисторы
dc.subjectдиффузия
dc.subjectизоляция
dc.subjectинтегральные микросхемы
dc.subjectконденсаторы
dc.subjectметодические издания
dc.subjectокисление
dc.subjectпланарная технология
dc.subjectрезистор
dc.subjectфотолитография
dc.subject.rugasnti47.33
dc.subject.udc621.382.049.774(075)
dc.titleИсследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем
dc.typeText
local.contributor.authorГосударственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы
local.contributor.authorСамарский авиационный институт им. С. П. Королева
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-bipolyarnyh-integralnyh-mikroshem-96366
local.identifier.oldurihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-bipolyarnyh-integralnyh-mikroshem-96366
Appears in Collections:Методические издания

Files in This Item:
File SizeFormat 
Пиганов М.Н. Исследование 1991.pdf415.96 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.