Title: Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности
Authors: Продан Д. В.
Keywords: дробная производная
вольт-амперная характеристика
суперстатистика
мемристоры
Issue Date: 2023
Citation: Продан, Д. В. Математическое моделирование вольт-амперной характеристики мемристора с учетом его неоднородности / Д. В. Продан // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 5: Науки о данных / под ред. Е. В. Гошина. - 2023. - С. 051012.
Abstract: Рассмотрена модель вольт-амперной характеристики мемристора, где неоднородности в устройстве учитываются в рамках суперстатистики, а динамика его внутреннего состояния описывается дифференциальным уравнением с дробной производной. Показано, что предложенная модель дает хорошее согласие с результатами экспериментальных измерений вольт-амперной характеристики реального мемристора.
URI: http://repo.ssau.ru/jspui/handle/123456789/13182
Appears in Collections:Информационные технологии и нанотехнологии

Files in This Item:
File SizeFormat 
978-5-7883-1921-6_2023-051012.pdf239.25 kBAdobe PDFView/Open


Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.